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手動上、下片

設備配置2C2D、4C、4D設備產能180WPH襯底材質Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等線寬0

設備配置1C1D、2C、2D襯底材質Si、Glass、Sapphire、GaAs、InP、GaN、SiC、LT、LN等線寬0

晶片尺寸2-9英寸

設備配置2-4chamber（option:COT、DEV）設備產能20WPH襯底材質Si、Glass等適用工藝深孔噴膠TSV、高深寬比臺階噴膠

全新的操作系統機構，采用人機工程學設計，限度減輕操作者的使用疲勞，模塊化的部件設計，可對系統功能進行自由組合，滿足工業檢測與金相分析的專業領域需求

全自動的操作系統，極大地減少人為干預

氣流循環裝置：內置空調間、循環風道及通風電機

氣流循環裝置：內置空調間、循環風道及通風電機

單片濕法刻蝕設備，能適應HF,HCL,H3PO4等多種刻蝕液，可刻蝕金屬有Gr、Ni、Ti、Cu、Au等

專用噴膠設備，適用于表面刻有深孔的高表面形貌圓形或方形基片的噴涂工藝要求，旋流式錐形霧化，可均勻覆蓋臺階表面，噴嘴有自動清洗功能

見詳情表格晶片尺寸2-9英寸

設備自動完成去膠、剝離工藝，藥液可循環利用，可配置去膠單元、清洗單元、浸泡單元，基片采用邊緣夾持接觸方式，采用扇狀噴液方式，可保證去膠效果的一致性；浸泡單元采用...

手動上片后完成去膠、剝離工藝，再手動下片