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單片濕法刻蝕機AEHETCH

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更新時間:2023-08-20 11:32:06瀏覽次數:299次

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設備配置 2-4 chamber
設備產能 60WPH(Gu Ti刻蝕)
襯底材質 Si、SiC、Glass、GaAs、InP
適用工藝 氧化硅/氮化硅刻蝕(SiOx/SiNx etch)、金屬刻蝕/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc.)、氧化銦錫/氧化銦鎵鋅(ITO/IGZO)等
工藝指標 介質刻蝕均勻性<5%、金屬刻蝕均勻性<5%、顆粒控制(≤20ea@0.16um)
金屬離子控制(Fe Ca: 5E9 atms/cm2 ;others: 1E10 atms/cm2
應用領域 IC、功率器件、射頻集成、半導體光學、光通訊、科研
技術特征 ?機臺可實現多尺寸兼容;
?工藝腔體經過優化設計,提供優秀的潔凈度控制;
?可適用多種藥液如SPM(H2SO4:H2O2),SC-1(NH4OH:H2O2:H20),SC-2(HCL:H2O2:H2O) ,HF,HNO3,H3PO4等,最多可實現4種藥液的循環回收使用;
?可配合使用Nano spray工藝和IPA N2 dry等干燥工藝。
設備尺寸 2560*2513*2500(W*D*H)

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