當前位置:寧波潤華全芯微電子設備有限公司>>單片濕法刻蝕機>> 單片濕法刻蝕機AEHETCH
設備配置 | 2-4 chamber |
設備產能 | 60WPH(Gu Ti刻蝕) |
襯底材質 | Si、SiC、Glass、GaAs、InP |
適用工藝 | 氧化硅/氮化硅刻蝕(SiOx/SiNx etch)、金屬刻蝕/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc.)、氧化銦錫/氧化銦鎵鋅(ITO/IGZO)等 |
工藝指標 | 介質刻蝕均勻性<5%、金屬刻蝕均勻性<5%、顆粒控制(≤20ea@0.16um) |
金屬離子控制(Fe Ca: 5E9 atms/cm2 ;others: 1E10 atms/cm2) | |
應用領域 | IC、功率器件、射頻集成、半導體光學、光通訊、科研 |
技術特征 | ?機臺可實現多尺寸兼容; ?工藝腔體經過優化設計,提供優秀的潔凈度控制; ?可適用多種藥液如SPM(H2SO4:H2O2),SC-1(NH4OH:H2O2:H20),SC-2(HCL:H2O2:H2O) ,HF,HNO3,H3PO4等,最多可實現4種藥液的循環回收使用; ?可配合使用Nano spray工藝和IPA N2 dry等干燥工藝。 |
設備尺寸 | 2560*2513*2500(W*D*H) |
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