單片濕法刻蝕設(shè)備，能適應(yīng)HF,HCL,H3PO4等多種刻蝕液，可刻蝕金屬有Gr、Ni、Ti、Cu、Au等。本設(shè)備工作過程中由擺臂系統(tǒng)旋轉(zhuǎn)交替噴液，多層Cup結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)不同刻蝕液的分類排放與回收。專業(yè)的工藝腔體結(jié)構(gòu)，在刻蝕電鍍或?yàn)R射形成的金屬膜的前提下，既能保證刻蝕的均勻性、刻蝕率，還可以保證各種化學(xué)品的使用安全性。本設(shè)備能滿足縱向刻蝕深度尺寸較大，橫向刻蝕深度精度高的工藝要求，在刻蝕工藝完成后，晶圓刻蝕溝槽和深孔等圖形側(cè)壁陡直規(guī)整，均勻性可達(dá)5%以內(nèi)。 晶片尺寸
2-12寸

主要技術(shù)參數(shù)
1、上下料方式： 高效機(jī)械手自動(dòng)傳送
2、離心機(jī)轉(zhuǎn)速
額定轉(zhuǎn)速： 2000 rpm
最小調(diào)整量： 1rpm
轉(zhuǎn)速精度： ±3rpm（50 rpm～2000 rpm）
3、夾持方式： 真空吸附
或多點(diǎn)支撐、四角夾緊、機(jī)械安全限位的方式（可選）
4、藥液回收循環(huán)使用功能。
5、刻蝕液加熱：在線加熱器，MAX： 50℃±2℃
6、背噴功能：氮?dú)猓?路
7、刻蝕液過濾器：0.2um
8、滅火系統(tǒng)：二氧化碳滅火系統(tǒng)

應(yīng)用行業(yè)
廣泛應(yīng)用于LED、分立器件、*封裝、科研等領(lǐng)域。