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蒸發鍍膜法原理任何物質在一定溫度下，總有一些分子從凝聚態（固態，液態）變成為氣態離開物質表面，但固體在常溫常壓下，這種蒸發量是極微小的。如果將固體材料置于真空中加熱至此材料蒸發溫度時，在氣化熱作用下材料的分子或原子具有足夠的熱震動能量去克服固體表面原子間的吸引力，并以一定速度逸出變成氣態分子或原子向四周迅速蒸發散射。當真空度高，分子自由程遠大于蒸發器到被鍍物的距離d時（一般要求，材料的蒸氣分子在散射途中才能無阻當地直線達到被鍍物和真空室表面。在化學吸附（化學鍵力引起的吸附）和物理吸附（靠分子間范德瓦爾斯力產生的吸附）作用下，蒸氣分子就吸附在基片表面上。當基片表面溫度低于某一臨界溫度，則蒸氣發分子在其表面發生凝結，即核化過程，形成“晶核"。當蒸氣分子入射到基片上密度大時，晶核形成容易，相應成核數目也就增多。在成膜過程繼續進行中，晶核逐漸長大，而成核數目卻并不顯著增多。由于（1）后續分子直接入射到晶核上；（2）已吸收分子和小晶核移徒到一起形成晶粒；（3）兩個晶核長大到互相接觸合并成晶粒等三個因素，使晶粒不斷長大結合。構成一層網膜。當它的平均厚度增加到一定厚度后，在基片表面緊密結合而沉積成一層連續性薄膜。

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