捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡標配了照明系統球差校正器,是一款原子分辨分析型透射電鏡,擁有的STEM-HAADF像分辨率(78pm)。標配照明系統球差校正器,且限度地提升了裝置的機械穩定性和電氣穩定性,實現了的STEM-HAADF像分辨率 (78pm*1、82pm*2)。
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡標配照明系統球差校正器,且限度地提升了裝置的機械穩定性和電氣穩定性,實現了的STEM-HAADF像分辨率 (78pm*1、82pm*2)。 此外經過球差校正的電子束與一般的場發射透射電鏡相比,電流密度可以高出十倍。使用束斑更小、電流密度更大的電子束,能在進行原子水平的元素分析同時,大幅度地縮短測試時間,極大地提高分析效率。
*1 配備冷場發射電子槍 *2 配備肖特基場發射電子槍
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡標配了掃描透射環形明場(STEM-ABF)成像模式,通過STEM-ABF像能直接觀察晶體樣品中輕元素的原子陣列,還可以同時獲取STEM-HAADF像,在樣品結構的分析中能夠發揮巨大威力
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡配備日本電子制造的100mm²的大面積硅漂移檢測器(Silicon Drift Detector:SDD)*3,可以進行快速、高靈敏的EDS元素分析,與經過球差校正的電子束流組合,能進行原子級的元素面分布,在原子水平的分辨率下進行成份分析。
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡的冷場發射電子槍(Cold-FEG)*4配備新開發的真空系統,與傳統的冷場發射電子槍不同,Flashing操作后可以馬上使用。由于光源小可以獲得更高分辨率的圖像。此外冷場發射電子槍的能量發散度小,不僅能進行高分辨率的EELS分析,還能降低色差。
捷歐路JEOL JEM-ARM200F 原子分辨分析型透射電子顯微鏡使用成像系統的球差校正器*5,透射電子像(TEM)的分辨率可以高達110pm。
分辨率 |
掃描透射暗場像 | 82pm(加速電壓200kV、肖特基場發射電子槍) 78pm(加速電壓200kV、冷場發射電子槍) |
透射像(點分辨率) | 190pm(加速電壓200kV) 110pm(加速電壓200kV、安裝TEM球差校正器) |
倍率 |
掃描透射像 | X200~X150,000,000 |
透射像 | X50~X2,000,000 |
電子槍 |
電子槍 | 肖特基場發射電子槍 冷場發射電子槍(選配件) |
加速電壓 | 200~80kV(標準200kV、80kV) |
樣品系統 |
樣品臺 | 全對中側插式測角樣品臺 |
樣品尺寸 | 3mmΦ |
傾斜角 | X軸: ±25° Y軸: ±25°(使用雙傾樣品桿) |
移動范圍 | X,Y: ±1mm Z: ±0.1mm(馬達驅動/壓電驅動) |
球差校正器 |
照明系統球差校正器 | 標配 |
成像系統球差校正器 | 選配件 |
選配件 |
主要選配件 | 能譜儀(EDS) 電子能量損失譜儀(EELS) CCD數碼相機系統 TEM/STEM斷層掃描系統 雙棱鏡 |