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霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

簡(jiǎn)要描述：武漢嘉儀通 HET系列霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)依據(jù)范德堡法測(cè)量材料的電運(yùn)輸性能參數(shù)：載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等，薄膜或薄層材料均可測(cè)量，可應(yīng)用于所有半導(dǎo)體材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可測(cè)量）,廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)高校、研究所、半導(dǎo)體、金屬、高熱導(dǎo)有機(jī)新材料等行業(yè)。

詳細(xì)介紹

霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)

自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)產(chǎn)品。

采用高精密度恒流源和電壓表，確保儀器測(cè)試的良好準(zhǔn)確度和高穩(wěn)定性，性能*。

自動(dòng)控制磁場(chǎng)方向的改變，更加方便準(zhǔn)確。

樣品裝夾方式快速方便，且使用能夠解決歐姆接觸的樣品芯片。

產(chǎn)品工業(yè)外觀采用一體化、精密化設(shè)計(jì)，融入人性化的設(shè)計(jì)理念，不僅賞心悅目而且操作方便。

智能化的用戶界面操作簡(jiǎn)單，功能齊全的軟件平臺(tái)帶給客戶友好的操作體驗(yàn)，使測(cè)試過程更加方便快捷。

霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試實(shí)例

山東大學(xué)鈦酸鍶陶瓷樣品測(cè)試結(jié)果

太原理工硅化鎂樣品測(cè)試結(jié)果

霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	HET-RT	HET-HT
磁場(chǎng)強(qiáng)度	6800Gs	5000Gs
磁場(chǎng)穩(wěn)定性	±2％/每年
溫度范圍	RT	100K~600K（可連續(xù)變溫）
溫控精度	/	±0.5K
輸出電流	100pA-100mA
遷移率	1-10⁷cm²/Volt-sec
阻抗	10^-6 -10⁷?·CM
載流子濃度	10⁷ -10²¹cm^-³
樣品測(cè)量板	樣品邊長(zhǎng)5-20mm，厚度10nm-3mm	樣品邊長(zhǎng)5-15mm，厚度10nm-1mm
主機(jī)尺寸	570x545x380，單位mm	/
重量	50kg	80kg

霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)原理

　　采用范德堡法測(cè)量材料的霍爾系數(shù)和電阻率。范德堡法可測(cè)量任意形狀、厚度（d）均勻的薄片樣品的霍爾系數(shù)和電阻率，樣品和四個(gè)電極聯(lián)接，相鄰的電極通入電流，在另一對(duì)電極之間測(cè)量電位差，利用電極1、2和2、3通入電流分別做兩次測(cè)量，測(cè)得電阻RA和RB，然后根據(jù)范德堡公式推導(dǎo)出樣品的電阻率ρ和R構(gòu)成如下關(guān)系：

　　在垂直樣品的磁場(chǎng)（感應(yīng)強(qiáng)度B）作用下，電流通過樣品的一對(duì)不相鄰電極，如由電極1到電極3，測(cè)得電極2、4之間的電位差V2,4 （VH），可計(jì)算出霍爾系數(shù)。